2SB739 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SB739 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB739 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SB739

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SB739 даташит

..1. Size:31K hitachi
2sb738 2sb739.pdf pdf_icon

2SB738, 2SB739 Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SD787 and 2SD788 Outline TO-92MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SB738, 2SB739 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SB738 2SB739 Unit Collector to base voltage VCBO 20 20 V Collector to emitter voltage VCEO 16 20 V Emitter to base v

9.1. Size:166K nec
2sb734.pdf pdf_icon