2SB776E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB776E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB776E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB776E даташит

 8.1. Size:201K  utc
2sb776.pdfpdf_icon

2SB776E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB776 PNP PLANAR TRANSISTOR MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB776 is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High Current Output Up to 3A * Low Saturation Voltage * Complement to 2SD886 ORDERING INFORMATION Ordering N

 8.2. Size:260K  jiangsu
2sb776.pdfpdf_icon

2SB776E

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors 2SB776 TRANSISTOR (PNP) TO-126 FEATURES High Current Output Up to 3A 1. EMITTER Low Saturation Voltage Power Dissipation 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit B776=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device B776 XX XX=Code

 8.3. Size:209K  jmnic
2sb776.pdfpdf_icon

2SB776E

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB776 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SD896 Wide area of safe operation APPLICATIONS 100V/7A, AF 40W output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Tc=25 )

 8.4. Size:164K  lge
2sb776.pdfpdf_icon

2SB776E

2SB776(PNP) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 2 1 Features High current output up to 3A Low saturation voltage Power dissipation 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 1.500 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted ) 3.900 Symbol Parameter Value Units 3.000 4.100 VCBO Collector-Base Voltage -50 V 10.600 3.200 0.000 0.300 VCEO Collec

Другие транзисторы: 2SB773, 2SB773A, 2SB774, 2SB775, 2SB775D, 2SB775E, 2SB776, 2SB776D, MPSA42, 2SB777, 2SB778, 2SB779, 2SB77A, 2SB77AH, 2SB77H, 2SB78, 2SB780