Биполярный транзистор 2SB776E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB776E
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO218
2SB776E Datasheet (PDF)
2sb776.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB776 PNP PLANAR TRANSISTOR MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB776 is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High Current Output Up to 3A * Low Saturation Voltage * Complement to 2SD886 ORDERING INFORMATION Ordering N
2sb776.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors2SB776 TRANSISTOR (PNP)TO-126FEATURES High Current Output Up to 3A 1. EMITTER Low Saturation Voltage Power Dissipation 2. COLLECTOR3. BASE Equivalent Circuit B776=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device B776 XXXX=Code
2sb776.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB776 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SD896 Wide area of safe operation APPLICATIONS 100V/7A, AF 40W output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Tc=25)
2sb776.pdf
2SB776(PNP)TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 21 Features High current output up to 3A Low saturation voltage Power dissipation 2.5007.4002.9001.1007.8001.500MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted ) 3.900Symbol Parameter Value Units3.0004.100VCBO Collector-Base Voltage -50 V 10.600 3.2000.0000.300VCEO Collec
2sb776 2sd886.pdf
2SB7762SD8862SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors2SD886 NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-1261.EMITTERP b Lead(Pb)-Free2.COLLECTOR3.BASE123ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)Rating Symbol PNP/2SB776 UnitNPN/2SD886VCEO -50 50 VCollector-Emitter VoltageVCBO -50 50 VCollector-Base VoltageVEBO -5.0 5.0 VEmitter-Base VoltageIC -3.0 3.0 ACollector Curren
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050