2SB806KR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB806KR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SB806KR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB806KR даташит

 8.1. Size:234K  nec
 2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

2SB806KR

 8.2. Size:817K  kexin
 2sb806.pdf pdf_icon

2SB806KR

SMD Type Transistors SMD Type PNP Tr ansistors 2SB806 Features Classification of hfe(1) 1.70 0.1 High collector to emitter voltage VCEO -120V. = 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -120 V Collector-emitter voltage VCEO -120 V Emitter-base voltage VEBO -5 V C

 8.3. Size:661K  cn shikues
 2sb806-kr 2sb806-kq 2sb806-kp.pdf pdf_icon

2SB806KR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB804AW, 2SB805, 2SB805KK, 2SB805KL, 2SB805KM, 2SB806, 2SB806KP, 2SB806KQ, MJE340, 2SB807, 2SB808, 2SB808F, 2SB808G, 2SB81, 2SB810, 2SB811, 2SB812