Биполярный транзистор 2SB806KR Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SB806KR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам