Справочник транзисторов. 2SB806KR

 

Биполярный транзистор 2SB806KR Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB806KR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 2SB806KR

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB806KR Datasheet (PDF)

 8.1. Size:234K  nec
 2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

2SB806KR

 8.2. Size:817K  kexin
 2sb806.pdf pdf_icon

2SB806KR

SMD Type TransistorsSMD TypePNP Transistors2SB806 Features Classification of hfe(1)1.70 0.1 High collector to emitter voltage: VCEO -120V. =0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 VEmitter-base voltage VEBO -5 VC

 8.3. Size:661K  cn shikues
 2sb806-kr 2sb806-kq 2sb806-kp.pdf pdf_icon

2SB806KR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB804AW , 2SB805 , 2SB805KK , 2SB805KL , 2SB805KM , 2SB806 , 2SB806KP , 2SB806KQ , 2SA1837 , 2SB807 , 2SB808 , 2SB808F , 2SB808G , 2SB81 , 2SB810 , 2SB811 , 2SB812 .

History: D66DW1

 

 
Back to Top

 


 
.