2SB807 - описание и поиск аналогов

 

2SB807. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB807

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SB807

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB807 даташит

 9.1. Size:211K  nec
2sb800.pdfpdf_icon

2SB807

 9.2. Size:222K  nec
2sb804.pdfpdf_icon

2SB807

 9.3. Size:234K  nec
2sb805 2sb806.pdfpdf_icon

2SB807

 9.4. Size:1087K  kexin
2sb800.pdfpdf_icon

2SB807

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB800 1.70 0.1 Features High Collector to Emitter Voltage VCEO>-80V Complement to 2SD1001 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curr

Другие транзисторы... 2SB805 , 2SB805KK , 2SB805KL , 2SB805KM , 2SB806 , 2SB806KP , 2SB806KQ , 2SB806KR , 2SC1815 , 2SB808 , 2SB808F , 2SB808G , 2SB81 , 2SB810 , 2SB811 , 2SB812 , 2SB812A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.