Справочник транзисторов. 2SB807

 

Биполярный транзистор 2SB807 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB807
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 2SB807

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB807 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  nec
 2sb800.pdf pdf_icon

2SB807

 9.2. Size:222K  nec
 2sb804.pdf pdf_icon

2SB807

 9.3. Size:234K  nec
 2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

2SB807

 9.4. Size:1087K  kexin
 2sb800.pdf pdf_icon

2SB807

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB8001.70 0.1 Features High Collector to Emitter Voltage:VCEO>-80V Complement to 2SD10010.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB805 , 2SB805KK , 2SB805KL , 2SB805KM , 2SB806 , 2SB806KP , 2SB806KQ , 2SB806KR , 2N2222A , 2SB808 , 2SB808F , 2SB808G , 2SB81 , 2SB810 , 2SB811 , 2SB812 , 2SB812A .

 

 
Back to Top

 


 
.