2SB817E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB817E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB817E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB817E даташит

 ..1. Size:196K  cn sptech
 2sb817d 2sb817e.pdf pdf_icon

2SB817E

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SB817 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -140V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE High Current Capability Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SD1047 APPLICATIONS Recommend for 60W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

 ..2. Size:195K  inchange semiconductor
 2sb817e.pdf pdf_icon

2SB817E

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817E DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -140V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE High Current Capability Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SD1047E Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency

 8.1. Size:30K  sanyo
 2sb817p 2sd1047p 2sd1047p.pdf pdf_icon

2SB817E

Ordering number ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions Capable of being mounted easily because of one- unit mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P

 8.2. Size:199K  jmnic
 2sb817.pdf pdf_icon

2SB817E

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB817 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SD1047 APPLICATIONS 140V/12A AF 60W output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB815, 2SB815B6, 2SB815B7, 2SB816, 2SB816D, 2SB816E, 2SB817, 2SB817D, C3198, 2SB818, 2SB819, 2SB82, 2SB820, 2SB821, 2SB822, 2SB823, 2SB824