Биполярный транзистор 2N1613S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1613S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO5
2N1613S Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1610 , 2N1611 , 2N1612 , 2N1613 , 2N1613-46 , 2N1613A , 2N1613B , 2N1613L , BF422 , 2N1614 , 2N1615 , 2N1616 , 2N1616-1 , 2N1616A , 2N1617 , 2N1617-1 , 2N1617A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050