2N1613S - описание и поиск аналогов

 

2N1613S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1613S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1613S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1613S даташит

 8.1. Size:665K  rca
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1613S

 8.2. Size:51K  philips
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1613S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D111 2N1613 NPN medium power transistor 1997 Apr 11 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor 2N1613 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 emitt

 8.3. Size:64K  central
 2n1613 2n1711 2n1893.pdf pdf_icon

2N1613S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.4. Size:224K  cdil
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1613S

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N1613 TO-39 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Emitter Voltage (RBE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N1610, 2N1611, 2N1612, 2N1613, 2N1613-46, 2N1613A, 2N1613B, 2N1613L, A42, 2N1614, 2N1615, 2N1616, 2N1616-1, 2N1616A, 2N1617, 2N1617-1, 2N1617A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.