2SB828R - описание и поиск аналогов

 

2SB828R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB828R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SB828R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB828R даташит

 8.1. Size:98K  sanyo
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828R

 8.2. Size:213K  jmnic
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB828 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SD1064 Low collector saturation voltage Wide area of safe operation APPLICATIONS Relay drivers,high-speed inverters, converters,and other general high- current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2

 8.3. Size:220K  inchange semiconductor
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB828 DESCRIPTION High Collector Current I = -12A C Low Collector Saturation Voltage V = -0.5V(Max)@I = -6A CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SD1064 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers,high-speed inverters,converters, and o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB826R , 2SB826S , 2SB827 , 2SB827Q , 2SB827R , 2SB827S , 2SB828 , 2SB828Q , MPSA42 , 2SB828S , 2SB829 , 2SB829Q , 2SB829R , 2SB829T , 2SB83 , 2SB830 , 2SB831 .

History: 2SB826S

 

 

 


 
↑ Back to Top
.