Справочник транзисторов. 2N1614

 

Биполярный транзистор 2N1614 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N1614
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18
   Корпус транзистора: R32
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N1614 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:665K  rca
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1614

 9.2. Size:51K  philips
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1614

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1613NPN medium power transistor1997 Apr 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1613FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emitt

 9.3. Size:64K  central
 2n1613 2n1711 2n1893.pdf pdf_icon

2N1614

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:22K  semelab
 2n1616.pdf pdf_icon

2N1614

2N1616MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO61 Metal Package.Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N1611 , 2N1612 , 2N1613 , 2N1613-46 , 2N1613A , 2N1613B , 2N1613L , 2N1613S , 2222A , 2N1615 , 2N1616 , 2N1616-1 , 2N1616A , 2N1617 , 2N1617-1 , 2N1617A , 2N1618 .

History: STD01P | TBC857

 

 
Back to Top

 


 
.