2SB861B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SB861B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO220
2SB861B Datasheet (PDF)
2sb861.pdf
2SB861 Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output complementary pair with 2SD1138 Outline TO-220AB 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Rating Unit Collector to base voltage VCBO 200 V Collector to emitter voltage VCEO 150 V Emitter to base voltage VE
2sb861.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
Другие транзисторы... 2SB858C , 2SB858D , 2SB859 , 2SB859B , 2SB859C , 2SB86 , 2SB860 , 2SB861 , 2SD313 , 2SB861C , 2SB862 , 2SB863 , 2SB863O , 2SB863R , 2SB864 , 2SB865 , 2SB867 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet





