Справочник транзисторов. 2SB861B

 

Биполярный транзистор 2SB861B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB861B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SB861B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB861B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:281K  mcc
 2sb861-b.pdf pdf_icon

2SB861B

 8.2. Size:281K  mcc
 2sb861-c.pdf pdf_icon

2SB861B

 8.3. Size:31K  hitachi
 2sb861.pdf pdf_icon

2SB861B

2SB861Silicon PNP Triple DiffusedApplicationLow frequency power amplifier color TV vertical deflection output complementary pair with 2SD1138OutlineTO-220AB1. Base2. Collector(Flange)13. Emitter23Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 200 VCollector to emitter voltage VCEO 150 VEmitter to base voltage VE

 8.4. Size:186K  jmnic
 2sb861.pdf pdf_icon

2SB861B

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.