2SB870 - описание и поиск аналогов

 

2SB870 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SB870
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB870

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB870 - технические параметры

 ..1. Size:156K  jmnic
2sb870.pdfpdf_icon

2SB870

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB870 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD866 Low collector saturation voltage High collector current capability APPLICATIONS For power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

 ..2. Size:219K  inchange semiconductor
2sb870.pdfpdf_icon

2SB870

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB870 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Collector Saturation Voltage V = -0.5V(Max)@I = -5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:41K  panasonic
2sb873 e.pdfpdf_icon

2SB870

Transistor 2SB873 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm For DC-DC converter 5.9 0.2 4.9 0.2 For stroboscope Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector

 9.2. Size:37K  panasonic
2sb873.pdfpdf_icon

2SB870

Transistor 2SB873 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm For DC-DC converter 5.9 0.2 4.9 0.2 For stroboscope Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector

Другие транзисторы... 2SB863O , 2SB863R , 2SB864 , 2SB865 , 2SB867 , 2SB868 , 2SB869 , 2SB87 , 2SC2655 , 2SB871 , 2SB871A , 2SB872 , 2SB872A , 2SB873 , 2SB874 , 2SB874B , 2SB874C .

 

 
Back to Top

 


 
.