Справочник транзисторов. 2SB870

 

Биполярный транзистор 2SB870 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB870
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SB870

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB870 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  jmnic
2sb870.pdfpdf_icon

2SB870

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB870 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD866 Low collector saturation voltage High collector current capability APPLICATIONS For power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

 ..2. Size:219K  inchange semiconductor
2sb870.pdfpdf_icon

2SB870

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB870DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation Voltage: V = -0.5V(Max)@I = -5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:41K  panasonic
2sb873 e.pdfpdf_icon

2SB870

Transistor2SB873Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplificationUnit: mmFor DC-DC converter5.9 0.2 4.9 0.2For stroboscopeFeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Large collector current IC. 0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector

 9.2. Size:37K  panasonic
2sb873.pdfpdf_icon

2SB870

Transistor2SB873Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplificationUnit: mmFor DC-DC converter5.9 0.2 4.9 0.2For stroboscopeFeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Large collector current IC. 0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector

Другие транзисторы... 2SB863O , 2SB863R , 2SB864 , 2SB865 , 2SB867 , 2SB868 , 2SB869 , 2SB87 , 8550 , 2SB871 , 2SB871A , 2SB872 , 2SB872A , 2SB873 , 2SB874 , 2SB874B , 2SB874C .

History: BC336 | 2SC3848 | 2SD1755 | 2SC184 | BC157

 

 
Back to Top

 


 
.