Справочник транзисторов. 2SB912

 

Биполярный транзистор 2SB912 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB912
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SB912

 

 

2SB912 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:130K  rohm
2sb1188 2sb1188 2sb1182 2sb1240 2sb822 2sb1277 2sb911m.pdf

2SB912
2SB912

TransistorsMedium power Transistor(*32V,*2A)2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /2SB822 / 2SB1277 / 2SB911MFFeatures FExternal dimensions (Unit: mm)1) Low VCE(sat).VCE(sat) = *0.5V (Typ.)(IC / IB = *2A / *0.2A)2) Complements the 2SD1766 /2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistor(96-131-B24)2152SB1188

 9.2. Size:111K  rohm
2sb910m 2sb1238.pdf

2SB912
2SB912

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.3. Size:224K  jmnic
2sb919.pdf

2SB912
2SB912

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB919 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1235 Low collector saturation voltage Large current capacity APPLICATIONS Large current switching of relay drivers, high-speed inverters,converters PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplif

 9.4. Size:217K  inchange semiconductor
2sb919.pdf

2SB912
2SB912

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB919DESCRIPTIONHigh Collector Current: I = -8ACLow Collector Saturation Voltage: V = -0.5V(Max)@I = -3ACE(sat) CComplement to Type 2SD1235Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for large current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top