Справочник транзисторов. 2SB935

 

Биполярный транзистор 2SB935 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB935
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB935 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  panasonic
2sb935.pdfpdf_icon

2SB935

Power Transistors2SB935, 2SB935ASilicon PNP epitaxial planar type Unit: mm8.5 0.2 3.4 0.36.0 0.5 1.0 0.1For low-voltage switchingFeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat)1.5max. 1.1max.High-speed switchingN type package enabling direct soldering of the radiating fin to0.8 0.1 0.5max.the printed circuit board, etc. of small electronic equipmen

 ..2. Size:1194K  kexin
2sb935.pdfpdf_icon

2SB935

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB935TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.1 Features2.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) High-speed switching0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152 Collector3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating

 0.1. Size:1210K  kexin
2sb935a.pdfpdf_icon

2SB935

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB935ATO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.1 Features2.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) High-speed switching0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152 Collector3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin

 9.1. Size:57K  panasonic
2sb933.pdfpdf_icon

2SB935

Power Transistors2SB933Silicon PNP epitaxial planar typeUnit: mm8.5 0.2 3.4 0.3For power switching6.0 0.5 1.0 0.1Complementary to 2SD1256Features1.5max. 1.1max.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE0.8 0.1 0.5max.Large collector current IC2.54 0.3N type package enabling direct sold

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC2609 | DDTA114TCA | FC112 | AUY27 | NB112EY | 2N539 | BCP882

 

 
Back to Top

 


 
.