2SB935 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SB935 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SB935
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SB935

 

2SB935 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  panasonic
2sb935.pdfpdf_icon

2SB935

Power Transistors 2SB935, 2SB935A Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm 8.5 0.2 3.4 0.3 6.0 0.5 1.0 0.1 For low-voltage switching Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 1.5max. 1.1max. High-speed switching N type package enabling direct soldering of the radiating fin to 0.8 0.1 0.5max. the printed circuit board, etc. of small electronic equipmen

 ..2. Size:1194K  kexin
2sb935.pdfpdf_icon

2SB935

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB935 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 Features 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) High-speed switching 0.127 +0.1 0.80-0.1 max + 0.1 1 Base 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2 Collector 3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating

 0.1. Size:1210K  kexin
2sb935a.pdfpdf_icon

2SB935

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB935A TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 Features 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) High-speed switching 0.127 +0.1 0.80-0.1 max + 0.1 1 Base 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2 Collector 3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ratin

 9.1. Size:57K  panasonic
2sb933.pdfpdf_icon

2SB935

Power Transistors 2SB933 Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm 8.5 0.2 3.4 0.3 For power switching 6.0 0.5 1.0 0.1 Complementary to 2SD1256 Features 1.5max. 1.1max. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE 0.8 0.1 0.5max. Large collector current IC 2.54 0.3 N type package enabling direct sold

Другие транзисторы... 2SB929A , 2SB93 , 2SB930 , 2SB930A , 2SB931 , 2SB932 , 2SB933 , 2SB934 , TIP32C , 2SB935A , 2SB936 , 2SB936A , 2SB937 , 2SB937A , 2SB938 , 2SB938A , 2SB939 .

History: NB212ZX | MJD200T4G | SUR528H

 

 
Back to Top

 


 
.