Справочник транзисторов. 2SB941

 

Биполярный транзистор 2SB941 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB941
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB941 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  panasonic
2sb941.pdfpdf_icon

2SB941

Power Transistors2SB941, 2SB941ASilicon PNP epitaxial planar typeFor low-frequency power amplificationComplementary to 2SD1266 and 2SD1266AUnit: mmFeatures10.0 0.2 4.2 0.2High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity5.5 0.2 2.7 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)Full-pack package which can be installed to the heat sink

 ..2. Size:191K  jmnic
2sb941 2sb941a.pdfpdf_icon

2SB941

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB941 2SB941A DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation voltage Complementary to type 2SD1266/1266A APPLICATIONS For low-frequency power amplification PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) S

 ..3. Size:181K  lzg
2sb941 3ca941.pdfpdf_icon

2SB941

2SB941(3CA941) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :./Purpose: For low-frequency power amplification.: HFE - TO-220 /Feature: High forward current transfer ratio Hfe which has satisfactory linearity,low collector to emi

 ..4. Size:218K  inchange semiconductor
2sb941.pdfpdf_icon

2SB941

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB941DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.2V(Max)@I = -3ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1266Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplifications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.