Справочник транзисторов. 2SB944

 

Биполярный транзистор 2SB944 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB944
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB944 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  panasonic
2sb944.pdfpdf_icon

2SB944

Power Transistors2SB944Silicon PNP epitaxial planar typeFor power switchingUnit: mmComplementary to 2SD126910.0 0.2 4.2 0.25.5 0.2 2.7 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 3.1 0.1Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFELarge collector current ICFull-pack package which can be installed to the heat sink withone

 ..2. Size:159K  jmnic
2sb944.pdfpdf_icon

2SB944

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB944 DESCRIPTION With TO-220Fa package Large collector current IC Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1269 APPLICATIONS For power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=

 ..3. Size:218K  inchange semiconductor
2sb944.pdfpdf_icon

2SB944

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB944DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = -0.5V(Max)@ I = -3ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V (Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1269Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplification.ABSOLUT

 9.1. Size:47K  panasonic
2sb942.pdfpdf_icon

2SB944

Power Transistors2SB942, 2SB942ASilicon PNP epitaxial planar typeFor low-frequency power amplificationComplementary to 2SD1267 and 2SD1267AUnit: mmFeatures10.0 0.2 4.2 0.2High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity5.5 0.2 2.7 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)Full-pack package which can be installed to the heat sink

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2N1683 | 2SC2923 | 3CG953 | 2SA922-2 | PZTA28 | BC807K-16

 

 
Back to Top

 


 
.