2SB99 - описание и поиск аналогов

 

2SB99. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB99

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2SB99

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB99 даташит

 0.1. Size:216K  inchange semiconductor
2sb996.pdfpdf_icon

2SB99

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1356 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 20 25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. ABSOL

 0.2. Size:216K  inchange semiconductor
2sb992.pdfpdf_icon

2SB99

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1362 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre

 0.3. Size:216K  inchange semiconductor
2sb993.pdfpdf_icon

2SB99

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1363 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre

 0.4. Size:186K  inchange semiconductor
2sb991.pdfpdf_icon

2SB99

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB991 DESCRIPTION Collector-Emitter BreakdownVoltage- V = -180V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0(Max.) @I = -0.5A CE(sat) C Wide area of safe operation Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Adudio frequen

Другие транзисторы: 2SB986, 2SB986R, 2SB986S, 2SB986T, 2SB986U, 2SB987, 2SB988, 2SB989, TIP2955, 2SB991, 2SB992, 2SB993, 2SB994, 2SB995, 2SB996, 2SB997, 2SB998

 

 

 

 

↑ Back to Top
.