2SB99. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SB99
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для 2SB99
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB99 даташит
2sb996.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1356 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 20 25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. ABSOL
2sb992.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1362 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre
2sb993.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1363 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre
2sb991.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB991 DESCRIPTION Collector-Emitter BreakdownVoltage- V = -180V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0(Max.) @I = -0.5A CE(sat) C Wide area of safe operation Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Adudio frequen
Другие транзисторы: 2SB986, 2SB986R, 2SB986S, 2SB986T, 2SB986U, 2SB987, 2SB988, 2SB989, TIP2955, 2SB991, 2SB992, 2SB993, 2SB994, 2SB995, 2SB996, 2SB997, 2SB998
History: BTN2369A3 | H772 | EN3502
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884
