2SB995 - описание и поиск аналогов

 

2SB995. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB995

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB995

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB995 даташит

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
 2sb995.pdf pdf_icon

2SB995

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB995 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -2.0V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1355 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 30W high-fidelity a

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb996.pdf pdf_icon

2SB995

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1356 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 20 25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. ABSOL

 9.2. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb992.pdf pdf_icon

2SB995

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1362 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre

 9.3. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb993.pdf pdf_icon

2SB995

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1363 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB987, 2SB988, 2SB989, 2SB99, 2SB991, 2SB992, 2SB993, 2SB994, BC639, 2SB996, 2SB997, 2SB998, 2SB999, 2SC100, 2SC1000, 2SC1000GTM, 2SC1001

 

 

 

 

↑ Back to Top
.