Справочник транзисторов. 2SB995

 

Биполярный транзистор 2SB995 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB995
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB995

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB995 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
 2sb995.pdf pdf_icon

2SB995

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB995DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1355Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Recommended for 30W high-fidelity a

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb996.pdf pdf_icon

2SB995

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1356Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Recommended for 20~25W high-fidelity audio frequencyamplifier output stage.ABSOL

 9.2. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb992.pdf pdf_icon

2SB995

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1362Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh curre

 9.3. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb993.pdf pdf_icon

2SB995

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1363Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB987 , 2SB988 , 2SB989 , 2SB99 , 2SB991 , 2SB992 , 2SB993 , 2SB994 , 2SA1015 , 2SB996 , 2SB997 , 2SB998 , 2SB999 , 2SC100 , 2SC1000 , 2SC1000GTM , 2SC1001 .

History: NB112FJ | DTA114YE-MS

 

 
Back to Top

 


 
.