2SB998 - описание и поиск аналогов

 

2SB998. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB998

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6000

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB998

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB998 даташит

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
2sb996.pdfpdf_icon

2SB998

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1356 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 20 25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. ABSOL

 9.2. Size:216K  inchange semiconductor
2sb992.pdfpdf_icon

2SB998

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1362 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre

 9.3. Size:216K  inchange semiconductor
2sb993.pdfpdf_icon

2SB998

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1363 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre

 9.4. Size:186K  inchange semiconductor
2sb991.pdfpdf_icon

2SB998

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB991 DESCRIPTION Collector-Emitter BreakdownVoltage- V = -180V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0(Max.) @I = -0.5A CE(sat) C Wide area of safe operation Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Adudio frequen

Другие транзисторы: 2SB99, 2SB991, 2SB992, 2SB993, 2SB994, 2SB995, 2SB996, 2SB997, BC547B, 2SB999, 2SC100, 2SC1000, 2SC1000GTM, 2SC1001, 2SC1002, 2SC1003, 2SC1003A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.