2SC1037 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1037

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для 2SC1037

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1037 даташит

 8.1. Size:453K  sony
2sc1034.pdfpdf_icon

2SC1037

 8.2. Size:44K  jmnic
2sc1030.pdfpdf_icon

2SC1037

Power Transistors www.jmnic.com 2SC1030 Silicon NPN Transistors 1B 2E 3C Features With TO-3 package Low frequency power amplifications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 150 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IC Collector current-Continuous 6 A PD Total Power Dissipation@TC

 8.3. Size:181K  inchange semiconductor
2sc1034.pdfpdf_icon

2SC1037

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1034 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 4(Min)@ I = 0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы: 2SC1030C, 2SC1031, 2SC1032, 2SC1033, 2SC1033A, 2SC1034, 2SC1035, 2SC1036, 2SC1815, 2SC1038, 2SC1039, 2SC103A, 2SC104, 2SC1040, 2SC1041, 2SC1042, 2SC1043