2SC1065 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1065

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2SC1065

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1065 даташит

 8.1. Size:110K  mospec
 2sc1061.pdf pdf_icon

2SC1065

A A A

 8.2. Size:46K  no
 2sc1060.pdf pdf_icon

2SC1065

 8.3. Size:206K  jmnic
 2sc1061.pdf pdf_icon

2SC1065

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC1061 DESCRIPTION With TO-220 package Low saturation voltage Complement to type 2SA671 Note type 2SC1060 with short pin APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum rat

 8.4. Size:216K  inchange semiconductor
 2sc1061.pdf pdf_icon

2SC1065

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1061 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0(V)(Max)@ I = 2A CE(sat) C DC Current Gain- h = 35-320 @ I = 0.5A FE C Complement to Type 2SA671 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC106, 2SC1060, 2SC1060A, 2SC1061, 2SC1061K, 2SC1062, 2SC1063, 2SC1064, 2SC2383, 2SC1066, 2SC1067, 2SC1068, 2SC1069, 2SC107, 2SC1070, 2SC1071, 2SC1072