2SC1132 - описание и поиск аналогов

 

2SC1132. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC1132

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC1132

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1132 даташит

 9.1. Size:63K  toshiba
2sc1169.pdfpdf_icon

2SC1132

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.2. Size:93K  toshiba
2sc1173.pdfpdf_icon

2SC1132

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.3. Size:29K  hitachi
2sc1162.pdfpdf_icon

2SC1132

2SC1162 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SA715 Outline TO-126 MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 35 V Collector to emitter voltage VCEO 35 V Emitter to base voltage VEBO 5V Collector current IC 2.5 A Collector peak current

 9.4. Size:49K  no
2sc1166.pdfpdf_icon

2SC1132

Другие транзисторы... 2SC1127-1 , 2SC1127-2 , 2SC1127-3 , 2SC1128 , 2SC1129 , 2SC113 , 2SC1130 , 2SC1131 , 2SA1015 , 2SC1133 , 2SC1134 , 2SC1136 , 2SC1138 , 2SC1139 , 2SC114 , 2SC1140 , 2SC1141 .

History: CSD1733 | K129NT1G-1 | CSB1370E

 

 

 


 
↑ Back to Top
.