Биполярный транзистор 2SC1229 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1229
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO3
2SC1229 Datasheet (PDF)
2sc1226 2sc1226a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1226 2SC1226A DESCRIPTION With TO-202 package Complement to type 2SA699/699A APPLICATIONS For medium power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-202) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMET
2sc1227.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1227DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor clocked voltage convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volta
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: KT313B
History: KT313B
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050