2SC1325 - описание и поиск аналогов

 

2SC1325. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC1325

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC1325

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1325 даташит

 ..1. Size:112K  mospec
2sc1325.pdfpdf_icon

2SC1325

A A A

 ..2. Size:178K  inchange semiconductor
2sc1325.pdfpdf_icon

2SC1325

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1325 DESCRIPTION With TO-3 Package High voltage Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For large screen color deflection circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collecto

 8.1. Size:43K  no
2sc1327.pdfpdf_icon

2SC1325

 9.1. Size:55K  panasonic
2sc1359 e.pdfpdf_icon

2SC1325

Transistor 2SC1359 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SA838 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification of FM/AM radios. High transition frequency fT. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector t

Другие транзисторы: 2SC1319, 2SC132, 2SC1320, 2SC1321, 2SC1321Q, 2SC1322, 2SC1323, 2SC1324, BC558, 2SC1325A, 2SC1326, 2SC1326Z, 2SC1327, 2SC1328, 2SC1329, 2SC133, 2SC1330

 

 

 

 

↑ Back to Top
.