2SC1617 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC1617 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1617 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC1617

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC1617 даташит

..1. Size:153K toshiba
2sc1617.pdf pdf_icon

..2. Size:178K inchange semiconductor
2sc1617.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1617 DESCRIPTION Silicon NPN triple diffused type High voltage Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Black and white TV horizontal output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

8.1. Size:198K 1
2sc1613.pdf pdf_icon