Справочник транзисторов. 2SC1627AY

 

Биполярный транзистор 2SC1627AY - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC1627AY
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC1627AY

 

 

2SC1627AY Datasheet (PDF)

 6.1. Size:170K  toshiba
2sc1627a.pdf

2SC1627AY
2SC1627AY

 6.2. Size:231K  lge
2sc1627a to-92mod.pdf

2SC1627AY
2SC1627AY

2SC1627A TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features5.8006.200 Complementary to 2SA817A 8.400Driver Stage Application of 30 to 35 Watts Amplifiers 8.8000.900 1.1000.400MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) 0.60013.80014.200Symbol parameter Value Units VCBO 80 VCollector-Base Voltage 1.500 TYP

 6.3. Size:498K  blue-rocket-elect
2sc1627af.pdf

2SC1627AY
2SC1627AY

2SC1627AF(BR3DG1627AF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 3035W 2SA817AF(BR3CG817AF) Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(BR3CG817AF). / Applications

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top