2SC1627AY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1627AY  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC1627AY

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1627AY даташит

 6.1. Size:170K  toshiba
 2sc1627a.pdf pdf_icon

2SC1627AY

 6.2. Size:231K  lge
 2sc1627a to-92mod.pdf pdf_icon

2SC1627AY

2SC1627A TO-92MOD Transistor (NPN) TO-92MOD 1. EMITTER 1 2 2. COLLECTOR 3 3. BASE Features 5.800 6.200 Complementary to 2SA817A 8.400 Driver Stage Application of 30 to 35 Watts Amplifiers 8.800 0.900 1.100 0.400 MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) 0.600 13.800 14.200 Symbol parameter Value Units VCBO 80 V Collector-Base Voltage 1.500 TYP

 6.3. Size:498K  blue-rocket-elect
 2sc1627af.pdf pdf_icon

2SC1627AY

2SC1627AF(BR3DG1627AF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 30 35W 2SA817AF(BR3CG817AF) Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(BR3CG817AF). / Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1623L6, 2SC1623L7, 2SC1624, 2SC1625, 2SC1626, 2SC1627, 2SC1627A, 2SC1627AO, 2SD669A, 2SC1628, 2SC1629, 2SC163, 2SC1630, 2SC1631, 2SC1632, 2SC1633, 2SC1634