2SC1673. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC1673

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC1673

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1673 даташит

 8.1. Size:61K  toshiba
2sc1678.pdfpdf_icon

2SC1673

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.2. Size:298K  nec
2sc1674.pdfpdf_icon

2SC1673

 8.3. Size:42K  nec
2sc1675.pdfpdf_icon

2SC1673

 8.4. Size:78K  secos
2sc1674.pdfpdf_icon

2SC1673

2SC1674 0.02 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 General Purpose Switching and Amplification G H Emitter Collector Base J CLASSIFICATION OF hFE A D Millimeter REF. Min. Max. Product-Rank 2SC1674-Y 2SC1674-GR 2SC1674-BL B A 4.40 4

Другие транзисторы: 2SC1667, 2SC1668, 2SC1669, 2SC1669O, 2SC1669Y, 2SC167, 2SC1670, 2SC1672, 13003, 2SC1674, 2SC1674K, 2SC1674L, 2SC1674M, 2SC1675, 2SC1675K, 2SC1675L, 2SC1675M