2SC1678. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC1678

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC1678

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1678 даташит

 ..1. Size:61K  toshiba
2sc1678.pdfpdf_icon

2SC1678

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 ..2. Size:185K  inchange semiconductor
2sc1678.pdfpdf_icon

2SC1678

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1678 DESCRIPTION Silicon NPN planar type High breakdown voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Medium power amplifier applications Driver stage amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:298K  nec
2sc1674.pdfpdf_icon

2SC1678

 8.2. Size:42K  nec
2sc1675.pdfpdf_icon

2SC1678

Другие транзисторы: 2SC1674L, 2SC1674M, 2SC1675, 2SC1675K, 2SC1675L, 2SC1675M, 2SC1676, 2SC1677, A940, 2SC1679, 2SC168, 2SC1680, 2SC1681, 2SC1682, 2SC1683, 2SC1683A, 2SC1684