Справочник транзисторов. 2SC1779

 

Биполярный транзистор 2SC1779 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC1779
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC1779

 

 

2SC1779 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  no
2sc1779.pdf

2SC1779

 8.1. Size:79K  panasonic
2sc1778.pdf

2SC1779

 8.2. Size:36K  hitachi
2sc1775.pdf

2SC1779
2SC1779

2SC1775, 2SC1775ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA872/AOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC1775, 2SC1775AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SC1775 2SC1775A UnitCollector to base voltage VCBO 90 120 VCollector to emitter voltage VCEO 90 120 VEmitter to base voltag

 8.3. Size:177K  inchange semiconductor
2sc1777.pdf

2SC1779
2SC1779

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1777DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 70V(Min)CEO(SUS)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAutomotive ignitionSwitching regulatorMotor control applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top