2SC1780 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1780  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC1780

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1780 даташит

 8.1. Size:212K  1
2sc1787.pdfpdf_icon

2SC1780

 8.2. Size:43K  hitachi
2sc1781h.pdfpdf_icon

2SC1780

 8.3. Size:39K  no
2sc1789.pdfpdf_icon

2SC1780

 8.4. Size:177K  inchange semiconductor
2sc1785.pdfpdf_icon

2SC1780

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1785 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Automotive ignition Switching regulator Motor control applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARA

Другие транзисторы: 2SC1775A, 2SC1776, 2SC1777, 2SC1778, 2SC1779, 2SC1779A, 2SC1779B, 2SC178, BD177, 2SC1781, 2SC1781H, 2SC1782, 2SC1783, 2SC1784, 2SC1785, 2SC1786, 2SC1787