2SC1821 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SC1821 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SC1821
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 235 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2SC1821

 

2SC1821 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:69K  wingshing
2sc1827.pdfpdf_icon

2SC1821

2SC1827 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SA769 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter-Base voltage VEBO 5 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Junctio

 8.2. Size:146K  jmnic
2sc1827.pdfpdf_icon

2SC1821

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1827 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA769 Collector current IC=4A Collector dissipation PC=30W@TC=25 APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO

 8.3. Size:179K  inchange semiconductor
2sc1828.pdfpdf_icon

2SC1821

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1828 DESCRIPTION With TO-66 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 8

 8.4. Size:184K  inchange semiconductor
2sc1826.pdfpdf_icon

2SC1821

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1826 DESCRIPTION High breakdown voltage Large collector dissipation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volt

Другие транзисторы... 2SC1816 , 2SC1816H , 2SC1817 , 2SC1818 , 2SC1819 , 2SC181H , 2SC182 , 2SC1820 , 13009 , 2SC1822 , 2SC1823 , 2SC1824 , 2SC1825 , 2SC1826 , 2SC1827 , 2SC1828 , 2SC1829 .

History: IDI8005

 

 
Back to Top

 


 
.