Биполярный транзистор 2SC1828 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1828
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO66
2SC1828 Datasheet (PDF)
2sc1828.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1828DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for switching and wide-band amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 8
2sc1827.pdf
2SC1827 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SA769ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter-Base voltage VEBO 5 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Junctio
2sc1827.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1827 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA769 Collector current :IC=4A Collector dissipation :PC=30W@TC=25 APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO
2sc1826.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1826DESCRIPTIONHigh breakdown voltageLarge collector dissipation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLow frequency power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt
2sc1827.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1827DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 80(V)(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SA769Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050