Справочник транзисторов. 2SC188

 

Биполярный транзистор 2SC188 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC188
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для 2SC188

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC188 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:35K  hitachi
2sc1881.pdfpdf_icon

2SC188

2SC1881(K)Silicon NPN Triple DiffusedApplicationHigh gain amplifier power switchingOutlineTO-220AB211. Base2. Collector(Flange)13. Emitter 6.8 k 400 23(Typ) (Typ)3Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7VCollector current I

 0.2. Size:215K  inchange semiconductor
2sc1881k.pdfpdf_icon

2SC188

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1881KDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.2V(Max)@ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for High g

 0.3. Size:214K  inchange semiconductor
2sc1881.pdfpdf_icon

2SC188

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1881DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.2V(Max)@ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for High ga

 0.4. Size:186K  inchange semiconductor
2sc1880.pdfpdf_icon

2SC188

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1880DESCRIPTIONHigh DC Current GainCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 120V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and

Другие транзисторы... 2SC1872 , 2SC1873 , 2SC1874 , 2SC1875 , 2SC1876 , 2SC1876H , 2SC1879 , 2SC1879H , 2N2907 , 2SC1880 , 2SC1880K , 2SC1881 , 2SC1881K , 2SC1882 , 2SC1882H , 2SC1883 , 2SC1883K .

History: NB121EH | BC328-16BK | BDV64A | MJE13004D | TPV596A | BC327P | 2SC3894

 

 
Back to Top

 


 
.