Биполярный транзистор 2SC188
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC188
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора:
TO5
Аналоги (замена) для 2SC188
2SC188
Datasheet (PDF)
0.1. Size:35K hitachi
2sc1881.pdf 2SC1881(K)Silicon NPN Triple DiffusedApplicationHigh gain amplifier power switchingOutlineTO-220AB211. Base2. Collector(Flange)13. Emitter 6.8 k 400 23(Typ) (Typ)3Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7VCollector current I
0.2. Size:215K inchange semiconductor
2sc1881k.pdf isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1881KDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.2V(Max)@ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for High g
0.3. Size:214K inchange semiconductor
2sc1881.pdf isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1881DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.2V(Max)@ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for High ga
0.4. Size:186K inchange semiconductor
2sc1880.pdf INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1880DESCRIPTIONHigh DC Current GainCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 120V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and
Другие транзисторы... 2SA1179M4
, 2SA1179M5
, 2SA1179M6
, 2SA1179M7
, 2SA118
, 2SA1180
, 2SA1180A
, 2SA1182
, BD777
, 2SA1182Y
, 2SA1183
, 2SA1184
, 2SA1185
, 2SA1186
, 2SA1186O
, 2SA1186P
, 2SA1186Y
.