2SC1882H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1882H  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 29 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO12

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC1882H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1882H даташит

 8.1. Size:35K  hitachi
 2sc1881.pdf pdf_icon

2SC1882H

2SC1881(K) Silicon NPN Triple Diffused Application High gain amplifier power switching Outline TO-220AB 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 6.8 k 400 2 3 (Typ) (Typ) 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7V Collector current I

 8.2. Size:215K  inchange semiconductor
 2sc1881k.pdf pdf_icon

2SC1882H

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1881K DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = 1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.2V(Max)@ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for High g

 8.3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sc1881.pdf pdf_icon

2SC1882H

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1881 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = 1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.2V(Max)@ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for High ga

 8.4. Size:186K  inchange semiconductor
 2sc1880.pdf pdf_icon

2SC1882H

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC1880 DESCRIPTION High DC Current Gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1879, 2SC1879H, 2SC188, 2SC1880, 2SC1880K, 2SC1881, 2SC1881K, 2SC1882, 2SC5200, 2SC1883, 2SC1883K, 2SC1884, 2SC1884H, 2SC1885, 2SC1886, 2SC1887, 2SC1888