2SC1953 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1953  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC1953

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1953 даташит

 ..1. Size:78K  panasonic
 2sa914 2sc1953 2sa914.pdf pdf_icon

2SC1953

 ..2. Size:216K  inchange semiconductor
 2sc1953.pdf pdf_icon

2SC1953

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1953 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA914 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low-frequency power pre-amplification,which is optimum for the pre-driver stage of a 60 W to 100 W

 8.1. Size:199K  toshiba
 2sc1959.pdf pdf_icon

2SC1953

2SC1959 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SC1959 Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Unit mm Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications Excellent hFE linearity h = 25 (min) V = 6 V, I = 400 mA FE (2) CE C 1 watt amplifier applications. Complementary to 2SA562TM. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = =

 8.2. Size:266K  mcc
 2sc1959-gr-o-y.pdf pdf_icon

2SC1953

2SC1959-O MCC Micro Commercial Components TM 2SC1959-Y 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 2SC1959-GR Fax (818) 701-4939 Features Audio frequency low power amplifier applications, driver stage Power Silicon amplifier applications, switching applications Excellent hFE Linearity hFE(2) =25(Min.) VCE=6.0V, IC=400mA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1948-1, 2SC1948-2, 2SC1948-3, 2SC1949, 2SC195, 2SC1950, 2SC1951, 2SC1952, BD139, 2SC1954, 2SC1955, 2SC1956, 2SC1957, 2SC1959, 2SC1959GR, 2SC1959O, 2SC1959Y