2SC1984 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC1984 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1984 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO220

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC1984

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC1984 даташит

8.1. Size:37K panasonic
2sc1980.pdf pdf_icon

Transistor 2SC1980 Silicon NPN epitaxial planer type For high breakdown voltage low-noise amplification Unit mm Complementary to 2SA921 5.0 0.2 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to emitt

8.2. Size:41K panasonic
2sc1980 e.pdf pdf_icon