2SC198A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC198A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO33-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC198A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC198A даташит

 8.1. Size:37K  panasonic
2sc1980.pdfpdf_icon

2SC198A

Transistor 2SC1980 Silicon NPN epitaxial planer type For high breakdown voltage low-noise amplification Unit mm Complementary to 2SA921 5.0 0.2 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to emitt

 8.2. Size:41K  panasonic
2sc1980 e.pdfpdf_icon

2SC198A

Transistor 2SC1980 Silicon NPN epitaxial planer type For high breakdown voltage low-noise amplification Unit mm Complementary to 2SA921 5.0 0.2 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to emitt

 8.3. Size:64K  wingshing
2sc1983.pdfpdf_icon

2SC198A

 8.4. Size:83K  sanken-ele
2sc1985 2sc1986.pdfpdf_icon

2SC198A

Другие транзисторы: 2SC1983, 2SC1984, 2SC1984A, 2SC1985, 2SC1986, 2SC1987, 2SC1988, 2SC1989, BC558, 2SC199, 2SC1990, 2SC1991, 2SC1992, 2SC1993, 2SC1994, 2SC1995, 2SC1996