2SC2120 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SC2120
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SC2120
2SC2120 - технические параметры
2sc2120.pdf
2SC2120 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2120 Audio Power Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE (1) 1 watts amplifier applications. Complementary to 2SA950 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 35 V Collector-emitter voltage VCEO 30 V Emitter-base vo
2sc2120.pdf
2SC2120 0.8 A , 35 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High DC Current Gain G H Complementary to 2SA950 1Emitter 1 1 1 2Collector 2 2 2 3 3 3 J 3Base CLASSIFICATION OF hFE A D Millimeter REF. Product-Rank 2SC2120-O 2SC2120-Y Min. Max
2sc2120.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2120 TRANSISTOR (NPN) TO 92 FEATURES 1. EMITTER High DC Current Gain Complementary to 2SA950 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit C2120=Device code C2120 Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal device XXX=Code 1 ORDERING INFORMATION Pa
2sc2120.pdf
isc Silicon NPN Transistor 2SC2120 DESCRIPTION High hFE(1)=100-320 1 Watts Amplifier Applications Complement to Type 2SA950 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio power amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 35 V CBO V Collector-Emitter
Другие транзисторы... 2SC2113 , 2SC2114 , 2SC2115 , 2SC2116 , 2SC2117 , 2SC2118 , 2SC2119 , 2SC212 , 2SD669 , 2SC2120O , 2SC2120Y , 2SC2121 , 2SC2122 , 2SC2122A , 2SC2123 , 2SC2124 , 2SC2125 .
History: GT100-10
History: GT100-10
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940






