Справочник транзисторов. 2SC2167

 

Биполярный транзистор 2SC2167 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC2167
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC2167

 

 

2SC2167 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  inchange semiconductor
2sc2167.pdf

2SC2167
2SC2167

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2167DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min)(BR)CEODC Current Gain-: h = 60(Min)@ (V = 10V, I = 0.7A)FE CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV vertical output ,audio output driver andgeneral purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RA

 8.1. Size:73K  sanyo
2sc2161.pdf

2SC2167

 8.2. Size:26K  jmnic
2sc2166.pdf

2SC2167
2SC2167

Product Specification Silicon NPN Power Transistor 2SC2166 DESCRIPTION High Power Gain- : Gpe 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V High Reliability APPLICATIONS Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 45 V VCER Collector-Emit

 8.3. Size:185K  inchange semiconductor
2sc2166.pdf

2SC2167
2SC2167

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2166DESCRIPTIONHigh Power Gain-: G 13.8dB @f= 27MHz, P = 6W; V = 12Vpe O CCHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF bandmobile radio applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25

 8.4. Size:231K  inchange semiconductor
2sc2168.pdf

2SC2167
2SC2167

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2168DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEODC Current Gain-: h = 60(Min)@ (V = 10V, I = 0.7A)FE CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV vertical output ,audio output driver andgeneral purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие транзисторы... 2SC216 , 2SC2160 , 2SC2161 , 2SC2162 , 2SC2163 , 2SC2164 , 2SC2165 , 2SC2166 , BC337 , 2SC2168 , 2SC2169 , 2SC217 , 2SC2172 , 2SC2173 , 2SC2174 , 2SC2175 , 2SC2176 .

History: 2SC2120-Y

 

 
Back to Top