2SC2259 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2259  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2259

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2259 даташит

 8.1. Size:71K  panasonic
 2sc2258.pdf pdf_icon

2SC2259

Power Transistors 2SC2258 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage general amplification Unit mm 8.0+0.5 0.1 3.2 0.2 3.16 0.1 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO High transition frequency fT TO-126B package which requires no insulation plate for installa- tion to the heat sink Absolute Maximum Ratings Ta

 8.2. Size:166K  jmnic
 2sc2258.pdf pdf_icon

2SC2259

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2258 DESCRIPTION With TO-126 package High transition frequency fT High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS For high breakdown voltage general amplification For video output amplification PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum

 8.3. Size:146K  jmnic
 2sc2258a.pdf pdf_icon

2SC2259

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2258A DESCRIPTION With TO-126 package High transition frequency fT High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS High voltage general amplifier TV video output amplifier PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMB

 8.4. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc2258.pdf pdf_icon

2SC2259

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2258 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 250V(Min) (BR)CEO High Current-Gain Bandwidth Product Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For high breakdown voltage general amplification For video output amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2258AR, 2SC2258AY, 2SC2258B, 2SC2258BO, 2SC2258BY, 2SC2258O, 2SC2258R, 2SC2258Y, 2SC2655, 2SC226, 2SC2260, 2SC2261, 2SC2262, 2SC2263, 2SC2264, 2SC2265, 2SC2265H