2SC2316 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2316  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2316

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2316 даташит

 ..1. Size:72K  sanken-ele
 2sc2315 2sc2316.pdf pdf_icon

2SC2316

 ..2. Size:184K  inchange semiconductor
 2sc2316.pdf pdf_icon

2SC2316

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2316 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80(V)(Min.) (BR)CEO 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Series regulator,switch and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

 8.1. Size:85K  sanyo
 2sc2314.pdf pdf_icon

2SC2316

 8.2. Size:41K  hitachi
 2sc2310 2sc458.pdf pdf_icon

2SC2316

2SC458 (LG), 2SC2310 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC458 (LG), 2SC2310 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 Unit Collector to base voltage VCBO 30 55 V Collector to emitter voltage VCEO 30 50 V Emit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2311, 2SC2312, 2SC2313, 2SC2314, 2SC2314D, 2SC2314E, 2SC2314F, 2SC2315, BC546, 2SC2316O, 2SC2316Y, 2SC2317, 2SC2318, 2SC2319, 2SC232, 2SC2320, 2SC2320L