2SC2357 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2357  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2357

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2357 даташит

 8.1. Size:171K  nec
 2sc2351 2sc2149 2sc4092 ne02133 ne02135 ne02139.pdf pdf_icon

2SC2357

NEC's NPN SILICON HIGH NE021 FREQUENCY TRANSISTOR SERIES FEATURES HIGH INSERTION GAIN 18.5 dB at 500 MHz LOW NOISE FIGURE 1.5 dB at 500 MHz HIGH POWER GAIN 12 dB at 2 GHz LARGE DYNAMIC RANGE 19 dBm at 1 dB, 2 GHz Gain Compression DESCRIPTION 00 (CHIP) 07/07B NEC's NE021 series of NPN silicon transistors provides eco- nomical solutions to wide ranges of amplifier a

 8.2. Size:36K  nec
 2sc2352.pdf pdf_icon

2SC2357

 8.3. Size:37K  nec
 2sc2353.pdf pdf_icon

2SC2357

 8.4. Size:30K  nec
 2sc2351.pdf pdf_icon

2SC2357

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC2351 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES NF 1.5 dB TYP. @ f = 1.0 GHz PACKAGE DIMENSIONS (Units mm) MAG 14 dB TYP. @ f = 1.0 GHz 2.8 0.2 +0.1 1.5 0.65-0.15 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Collector to Base Voltage VCBO 25 V 2 Collector to Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter to B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2349, 2SC235, 2SC2350, 2SC2351, 2SC2352, 2SC2353, 2SC2354, 2SC2356, TIP41, 2SC2358, 2SC2359, 2SC236, 2SC2360, 2SC2361, 2SC2361A, 2SC2362, 2SC2362K