2SC2366 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2366  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2366

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2366 даташит

 8.1. Size:55K  sanyo
 2sa1016 2sc2362 2sc2362k.pdf pdf_icon

2SC2366

Ordering number ENN572E PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1016, 1016K/2SC2362, 2362K High-Voltage Low-Noise Amp Applications Package Dimensions unit mm 2003B [2SA1016, 1016K/2SC2362, 2362K] 5.0 4.0 4.0 0.45 0.5 0.44 0.45 1 2 3 1 Emitter ( ) 2SA1016, 1016K 2 Collecor 3 Base Specifications 1.3 1.3 SANYO NP Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C 2SA101

 8.2. Size:32K  nec
 2sc2368.pdf pdf_icon

2SC2366

 8.3. Size:32K  nec
 2sc2369.pdf pdf_icon

2SC2366

 8.4. Size:97K  advanced-semi
 2sc2367.pdf pdf_icon

2SC2366

2SC2367 NPN SILICON HI FREQUNCY TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI 2SC2367 is Designed for general purpose and small signal PACKAGE STYLE .100 4L PILL amplifier and oscillator applications up to 6.0 GHz. FEATURES INCLUDE High frequency 8.0 GH Low noise, 1 dB at 0.5 GHz. MAXIMUM RATINGS IC 80 mA VCBO 20 V VCEO 10 V VEBO 1.5 V PDISS 580 mW @ TA = 25 C TJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2360, 2SC2361, 2SC2361A, 2SC2362, 2SC2362K, 2SC2363, 2SC2364, 2SC2365, TIP42C, 2SC2367, 2SC2368, 2SC2369, 2SC237, 2SC2370, 2SC2371, 2SC2373, 2SC2375