Справочник транзисторов. 2SC2430

 

Биполярный транзистор 2SC2430 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC2430
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC2430

 

 

2SC2430 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:220K  jmnic
2sc2438.pdf

2SC2430
2SC2430

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2438 DESCRIPTION With TO-220C package Low collector saturation voltage High reliability APPLICATIONS Switching regulators Ultrasonic generators High frequency inverters General purpose power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbso

 8.2. Size:196K  inchange semiconductor
2sc2438.pdf

2SC2430
2SC2430

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2438DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-:V = 0.5(V)(Max)@ I = 4ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE M

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
2sc2437.pdf

2SC2430
2SC2430

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2437DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsDC-DC convertorSolid state relayGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA

 8.4. Size:213K  inchange semiconductor
2sc2433.pdf

2SC2430
2SC2430

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2433DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SA1043Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switching applicationsHigh frequency power amplifierSwitching regula

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top