Справочник транзисторов. 2SC253

 

Биполярный транзистор 2SC253 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC253
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 2SC253

 

 

2SC253 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:185K  toshiba
2sc2532.pdf

2SC253
2SC253

2SC2532 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2532 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Driver Stage for LED Lamp Applications Temperature Compensation Applications High hFE: hFE (1) = 5000 (min) (IC = 10 mA) h (2) = 10000 (min) (IC = 100 mA) FEMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base

 0.2. Size:810K  kexin
2sc2532.pdf

2SC253
2SC253

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2532SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=300mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=40V+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 40 Collect

 0.3. Size:172K  inchange semiconductor
2sc2535.pdf

2SC253
2SC253

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2535DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 0.4. Size:184K  inchange semiconductor
2sc2534.pdf

2SC253
2SC253

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2534DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 150(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed high voltage switching applicationSwitching regulator applicationsHigh speed DC-DC converter applicatio

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 

Back to Top