Биполярный транзистор 2SC2551O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2551O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO92
2SC2551O Datasheet (PDF)
2sc2551.pdf
2SC2551 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2551 Industrial Applications Hight Voltage Control Applications Unit: mm Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications Cathode Ray Tube Brightness Control Applications High voltage: VCBO = 300 V, V = 300 V CEO Low saturation voltage: V = 0.5 V (max) CE (sat) Small collector output capacita
2sc2551.pdf
2SC2551 0.1 A , 300 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 High Voltage G H Low Saturation Voltage Small Collector Output Capacitance Complementary to 2SA1091 JEmitterA DCollectorBase BCLASSIFICATION OF hFE(1) KMillimet
2sc2551.pdf
2SC2551(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features High voltage Low saturation voltage Small collector output capacitance Complementary to 2SA1091 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 300 V Dimensions in inches and (millimeters)VCEO Collector-Emitter Vo
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
