2SC2578. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2578

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SC2578

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2578 даташит

 ..1. Size:48K  wingshing
 2sc2578.pdf pdf_icon

2SC2578

2SC2578 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1104 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 140 V Collector-Emitter Voltage VCEO 100 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 7 A

 ..2. Size:106K  jmnic
 2sc2578.pdf pdf_icon

2SC2578

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC2578 DESCRIPTION With TO-3PN package Complementary to 2SA1104 High Power Dissipation High Current Capability APPLICATIONS Audio power amplifier DC TO DC Converter PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and sym

 ..3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sc2578.pdf pdf_icon

2SC2578

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2578 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA1103 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 8.1. Size:119K  nec
 2sc2570a.pdf pdf_icon

2SC2578

DATA SHEET NPN SILICON TRANSISTOR 2SC2570A HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC2570A is designed for use in Low Noise Amplifier of VHF & UHF stages. FEATURES Low noise and high gain NF = 1.5 dB TYP., Ga = 8 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 10 V, IC = 5.0 mA Wide dynamic range NF = 1.9 dB, Ga = 9 dB @f = 1 GHz, VCE = 10 V, IC = 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2571, 2SC2571-1, 2SC2571-2, 2SC2572, 2SC2573, 2SC2575, 2SC2575L, 2SC2577, TIP120, 2SC2579, 2SC258, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2582, 2SC2584, 2SC2586, 2SC2587