2SC2589 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC2589 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90
Корпус транзистора: TO3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC2589
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC2589 даташит
2sc2580.pdf
2SC2580 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1105 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 180 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 9 A
2sc2581.pdf
2SC2581 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1106 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 C C) C C Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 200 V Collector-Emitter Voltage VCEO 140 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 10 A Collecto
2sc2585.pdf
2SC2585 NPN SILICON RF TRANSISTOR PACKAGE STYLE DESCRIPTION The 2SC2585 is a Common Emitter Device Designed for Low Niose Amplifier and Medium Power Oscillator Applications up to 8.5 GHz. MAXIMUM RATINGS IC 65 mA VCEO 12 V VCBO 25 V VEB 1.5 V PT 400 mW @ TC = 166 OC TJ -65 OC to +200 OC TSTG -65 OC to +200 OC DIMENSIONS IN MILLIMETERS 1 = BASE 3 = COLLECTOR 85 OC/W JC 2 &
2sc2582.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2582 DESCRIPTION With TO-126 package Large collector power dissipation High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
Другие транзисторы: 2SC2581, 2SC2582, 2SC2584, 2SC2586, 2SC2587, 2SC2587A, 2SC2588, 2SC2588A, 2N2222, 2SC259, 2SC2590, 2SC2591, 2SC2592, 2SC2593, 2SC2594, 2SC2595, 2SC2596
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet







