2SC2632. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2632

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC2632

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2632 даташит

 ..1. Size:34K  panasonic
2sc2632.pdfpdf_icon

2SC2632

Transistor 2SC2632 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm Complementary to 2SA1124 5.9 0.2 4.9 0.2 Features Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. High collector to emitter voltage VCEO. Small collector output capacitance Cob. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Sy

 ..2. Size:38K  panasonic
2sc2632 e.pdfpdf_icon

2SC2632

Transistor 2SC2632 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm Complementary to 2SA1124 5.9 0.2 4.9 0.2 Features Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. High collector to emitter voltage VCEO. Small collector output capacitance Cob. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Sy

 8.1. Size:127K  toshiba
2sc2639.pdfpdf_icon

2SC2632

 8.2. Size:128K  toshiba
2sc2638.pdfpdf_icon

2SC2632

Другие транзисторы: 2SC2625, 2SC2626, 2SC2627, 2SC2628, 2SC2629, 2SC263, 2SC2630, 2SC2631, 2SC945, 2SC2633, 2SC2634, 2SC2635, 2SC2636, 2SC2637, 2SC2638, 2SC2639, 2SC264