2SC2650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2650

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: MT-200

 Аналоги (замена) для 2SC2650

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2650 даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
2sc2650.pdfpdf_icon

2SC2650

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2650 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulator applicaition. High voltage switching application. High speed DC-DC converter application. A

 8.1. Size:167K  toshiba
2sc2655o 2sc2655y.pdfpdf_icon

2SC2650

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High collector power dissipation PC = 900 mW High-speed switching tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1020. Absolute Maximum

 8.2. Size:148K  toshiba
2sc2655.pdfpdf_icon

2SC2650

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High collector power dissipation PC = 900 mW High-speed switching tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1020. Absolute Maximum

 8.3. Size:96K  nec
2sc2654.pdfpdf_icon

2SC2650

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC2654 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Large current capacitance in small dimension IC(DC) = 7 A Low collector saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V MAX. (IC = 3.0 A) Ideal for use in a lamp driver Complementary transistor 2SA1129 ABSOL

Другие транзисторы: 2SC2643, 2SC2644, 2SC2645, 2SC2646, 2SC2647, 2SC2648, 2SC2649, 2SC265, 2SD669, 2SC2651, 2SC2652, 2SC2653, 2SC2654, 2SC2655, 2SC2655O, 2SC2655Y, 2SC2656