2SC2657A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2657A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC2657A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2657A даташит

 7.1. Size:189K  inchange semiconductor
2sc2657.pdfpdf_icon

2SC2657A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2657 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 500V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX UNIT V Collector-Base Voltage

 8.1. Size:167K  toshiba
2sc2655o 2sc2655y.pdfpdf_icon

2SC2657A

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High collector power dissipation PC = 900 mW High-speed switching tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1020. Absolute Maximum

 8.2. Size:148K  toshiba
2sc2655.pdfpdf_icon

2SC2657A

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High collector power dissipation PC = 900 mW High-speed switching tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1020. Absolute Maximum

 8.3. Size:96K  nec
2sc2654.pdfpdf_icon

2SC2657A

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC2654 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Large current capacitance in small dimension IC(DC) = 7 A Low collector saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V MAX. (IC = 3.0 A) Ideal for use in a lamp driver Complementary transistor 2SA1129 ABSOL

Другие транзисторы: 2SC2652, 2SC2653, 2SC2654, 2SC2655, 2SC2655O, 2SC2655Y, 2SC2656, 2SC2657, MJE350, 2SC2658, 2SC2658A, 2SC2659, 2SC266, 2SC2660, 2SC2660A, 2SC2662, 2SC2664