Биполярный транзистор 2SC2660A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC2660A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO220
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SC2660A Datasheet (PDF)
2sc2660 2sc2660a.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2660 2SC2660A DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA1133/1133A High VCEO Large PC APPLICATIONS Power amplifier applications TV vertical deflection applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ra
2sc2660.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2660DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = 150V (Min)(BR)CEOLarge Collector Power DissipationComplement to Type 2SA1133Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and TV vertical deflectionoutput applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=
2sc2669.pdf

2SC2669 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC2669 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm High power gain: Gpe = 30dB (typ.) (f = 10.7 MHz) Recommended for FM IF, OSC stage and AM CONV, IF stage. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 35 VCollector-emitter voltage VC
2sc2668.pdf

2SC2668 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC2668 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm FM, RF, IF Amplifier Applications Small reverse transfer capacitance: Cre = 0.70 pF (typ.) Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 40 VColle
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: FMMT5551 | ISA1399AS1 | 2N3338 | 2N6208 | TED1402 | BCW33LT3G
History: FMMT5551 | ISA1399AS1 | 2N3338 | 2N6208 | TED1402 | BCW33LT3G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530