2SC2660A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2660A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC2660A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2660A даташит

 ..1. Size:124K  inchange semiconductor
2sc2660 2sc2660a.pdfpdf_icon

2SC2660A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2660 2SC2660A DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA1133/1133A High VCEO Large PC APPLICATIONS Power amplifier applications TV vertical deflection applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ra

 7.1. Size:197K  inchange semiconductor
2sc2660.pdfpdf_icon

2SC2660A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2660 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V (Min) (BR)CEO Large Collector Power Dissipation Complement to Type 2SA1133 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier and TV vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=

 8.1. Size:473K  toshiba
2sc2669.pdfpdf_icon

2SC2660A

2SC2669 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC2669 High Frequency Amplifier Applications Unit mm High power gain Gpe = 30dB (typ.) (f = 10.7 MHz) Recommended for FM IF, OSC stage and AM CONV, IF stage. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 35 V Collector-emitter voltage VC

 8.2. Size:502K  toshiba
2sc2668.pdfpdf_icon

2SC2660A

2SC2668 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC2668 High Frequency Amplifier Applications Unit mm FM, RF, IF Amplifier Applications Small reverse transfer capacitance Cre = 0.70 pF (typ.) Low noise figure NF = 2.5dB (typ.) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 40 V Colle

Другие транзисторы: 2SC2656, 2SC2657, 2SC2657A, 2SC2658, 2SC2658A, 2SC2659, 2SC266, 2SC2660, D667, 2SC2662, 2SC2664, 2SC2665, 2SC2666, 2SC2667, 2SC2668, 2SC2668O, 2SC2668R