Справочник транзисторов. 2SC2660A

 

Биполярный транзистор 2SC2660A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC2660A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SC2660A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2660A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  inchange semiconductor
2sc2660 2sc2660a.pdfpdf_icon

2SC2660A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2660 2SC2660A DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA1133/1133A High VCEO Large PC APPLICATIONS Power amplifier applications TV vertical deflection applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ra

 7.1. Size:197K  inchange semiconductor
2sc2660.pdfpdf_icon

2SC2660A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2660DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = 150V (Min)(BR)CEOLarge Collector Power DissipationComplement to Type 2SA1133Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and TV vertical deflectionoutput applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=

 8.1. Size:473K  toshiba
2sc2669.pdfpdf_icon

2SC2660A

2SC2669 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC2669 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm High power gain: Gpe = 30dB (typ.) (f = 10.7 MHz) Recommended for FM IF, OSC stage and AM CONV, IF stage. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 35 VCollector-emitter voltage VC

 8.2. Size:502K  toshiba
2sc2668.pdfpdf_icon

2SC2660A

2SC2668 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC2668 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm FM, RF, IF Amplifier Applications Small reverse transfer capacitance: Cre = 0.70 pF (typ.) Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 40 VColle

Другие транзисторы... 2SC2656 , 2SC2657 , 2SC2657A , 2SC2658 , 2SC2658A , 2SC2659 , 2SC266 , 2SC2660 , S9018 , 2SC2662 , 2SC2664 , 2SC2665 , 2SC2666 , 2SC2667 , 2SC2668 , 2SC2668O , 2SC2668R .

History: ISA1399AS1 | NB213HY | BFY69B | BCW83C | DTA206 | 3CA168 | BDW83

 

 
Back to Top

 


 
.